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CMS-Blog-News.de - Tipps, Infos & News rund um CMS & Blog-Systeme!
20V Single P-Kanal PowerTrench® MOSFETs von Fairchild Semiconductor
Veröffentlicht am Mittwoch, dem 08. August 2012 von CMS-Blog-News.de |
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Freie-PM.de: Bauteile zeichnen sich durch dünnes Gehäuse und geringen Gate-Leckstrom aus
Fürstenfeldbruck - 8. August 2012 - Die Entwickler von Mobiltelefonen und anderen portablen Anwendungen müssen die Aufladung der Batterie und die Lastschaltung kontinuierlich verbessern, Fairchild Semiconductor (NYSE:FCS) hat daher seine Produktlinie der P-Channel PowerTrench® MOSFETs erweitert.
Der FDMA910PZ und FDME910PZT nutzen ein MicroFETTM MOSFET Gehäuse und zeichnen sich durch ein für ihre physikalische Größe (2 x 2 mm & 1,6 x 1,6 mm) außerordentliches thermisches Verhalten aus. Dadurch sind sie ideal für Schaltaufgaben und lineare Anwendungen geeignet. Die Bauteile sind als 20 V Version mit einem niedrigen Durchlasswiderstand erhältlich. Um einen Ausfall durch elektrostatische Entladung (ESD) zu verhindern, sind der FDMA910PZ und FDME910PZT durch eine optimierte Z-Diode geschützt, die auch den maximalen IGSS-Leckstrom von 10µA auf 1µA reduziert.
Weitere Informationen und Muster sind erhältlich über:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html
Funktionen und Vorteile:
FDMA910PZ
- Max RDS(ON) = 20 m? bei VGS = -4.5V, ID = -9,4A
- Max RDS(ON) = 24 m? bei VGS = -2.5V, ID = -8,6A
- Max RDS(ON) = 34 m? bei VGS = -1.8V, ID = -7,2A
- Geringe Bauhöhe - 0,8 mm maximal im MicroFET 2 x 2 mm Gehäuse mit HBM ESD-Schutzniveau > 2.8kV typisch
FDME910PZT
- Max RDS(ON) = 24 m? bei VGS = -4,5V, ID = -8A
- Max RDS(ON) = 31 m? bei VGS = -2,5V, ID = -7A
- Max RDS(ON) = 45 m? bei VGS = -1,8V, ID = -6A
- Geringe Bauhöhe: 0,55 mm maximal im MicroFET 1,6 x 1,6 mm Gehäuse mit HBM ESD-Schutzniveau > 2kV typisch
Der FDMA910PZ und der FDME910PZT enthalten keine Halogenverbindungen und Antimonoxide und sind RoHS-konform. Beide Bauteile ermöglichen einen sicheren Betrieb bei kleinen Spannungen und sind für einen Einsatz in Mobiltelefonen und portablen Geräten geeignet.
Fairchild Semiconductor gehört zu den Technologieführern im Bereich mobiler Anwendungen und verfügt über ein großes Portfolio von Analog- und Leistungs-IP, das auf die jeweiligen Design-Anforderungen angepasst werden kann. Durch die Integration führender Schaltungstechnologien in kleine, fortschrittliche Gehäuse kann Fairchild entscheidende Vorteile für mobile Anwendungen bieten, wobei gleichzeitig Größe, Kosten und Leistungsaufnahme der Designs reduziert werden. Mobile IP von Fairchild ist mittlerweile in den meisten der heute genutzten Endgeräte zu finden.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM
Preis: US-Dollar ab 1.000 Stück
FDMA910PZ: $0,36
FDME910PZT: $0,33
Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage ab sofort erhältlich.
Lieferzeit: 8-12 Wochen
Kontakt:
Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/.
Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.
Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen. Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter: www.fairchildsemi.com.
Produkt- und Unternehmensvideos, Podcasts und unseren Blog finden Sie unter: http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections
Fairchild Semiconductor
Birgit Fuchs-Laine
Oskar-von-Miller-Str. 4e
82256 Fürstenfeldbruck
089-417761-13
http://www.fairchildsemi.com/
Pressekontakt:
Lucy Turpin Communications
Birgit Fuchs-Laine
Prinzregentenstr. 79
81675 München
fairchild.eu@lucyturpin.com
089-417761-13
http://www.lucyturpin.com
(Weitere interessante Podcast News, Infos & Tipps finden Sie auch hier auf dieser Web-Seite zum Nachschlagen und Nachlesen.)
Veröffentlicht von >> PR-Gateway << auf http://www.freie-pressemitteilungen.de/modules.php?name=PresseMitteilungen - dem freien Presseportal mit aktuellen News und Artikeln
Bauteile zeichnen sich durch dünnes Gehäuse und geringen Gate-Leckstrom aus
Fürstenfeldbruck - 8. August 2012 - Die Entwickler von Mobiltelefonen und anderen portablen Anwendungen müssen die Aufladung der Batterie und die Lastschaltung kontinuierlich verbessern, Fairchild Semiconductor (NYSE:FCS) hat daher seine Produktlinie der P-Channel PowerTrench® MOSFETs erweitert.
Der FDMA910PZ und FDME910PZT nutzen ein MicroFETTM MOSFET Gehäuse und zeichnen sich durch ein für ihre physikalische Größe (2 x 2 mm & 1,6 x 1,6 mm) außerordentliches thermisches Verhalten aus. Dadurch sind sie ideal für Schaltaufgaben und lineare Anwendungen geeignet. Die Bauteile sind als 20 V Version mit einem niedrigen Durchlasswiderstand erhältlich. Um einen Ausfall durch elektrostatische Entladung (ESD) zu verhindern, sind der FDMA910PZ und FDME910PZT durch eine optimierte Z-Diode geschützt, die auch den maximalen IGSS-Leckstrom von 10µA auf 1µA reduziert.
Weitere Informationen und Muster sind erhältlich über:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html
Funktionen und Vorteile:
FDMA910PZ
- Max RDS(ON) = 20 m? bei VGS = -4.5V, ID = -9,4A
- Max RDS(ON) = 24 m? bei VGS = -2.5V, ID = -8,6A
- Max RDS(ON) = 34 m? bei VGS = -1.8V, ID = -7,2A
- Geringe Bauhöhe - 0,8 mm maximal im MicroFET 2 x 2 mm Gehäuse mit HBM ESD-Schutzniveau > 2.8kV typisch
FDME910PZT
- Max RDS(ON) = 24 m? bei VGS = -4,5V, ID = -8A
- Max RDS(ON) = 31 m? bei VGS = -2,5V, ID = -7A
- Max RDS(ON) = 45 m? bei VGS = -1,8V, ID = -6A
- Geringe Bauhöhe: 0,55 mm maximal im MicroFET 1,6 x 1,6 mm Gehäuse mit HBM ESD-Schutzniveau > 2kV typisch
Der FDMA910PZ und der FDME910PZT enthalten keine Halogenverbindungen und Antimonoxide und sind RoHS-konform. Beide Bauteile ermöglichen einen sicheren Betrieb bei kleinen Spannungen und sind für einen Einsatz in Mobiltelefonen und portablen Geräten geeignet.
Fairchild Semiconductor gehört zu den Technologieführern im Bereich mobiler Anwendungen und verfügt über ein großes Portfolio von Analog- und Leistungs-IP, das auf die jeweiligen Design-Anforderungen angepasst werden kann. Durch die Integration führender Schaltungstechnologien in kleine, fortschrittliche Gehäuse kann Fairchild entscheidende Vorteile für mobile Anwendungen bieten, wobei gleichzeitig Größe, Kosten und Leistungsaufnahme der Designs reduziert werden. Mobile IP von Fairchild ist mittlerweile in den meisten der heute genutzten Endgeräte zu finden.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM
Preis: US-Dollar ab 1.000 Stück
FDMA910PZ: $0,36
FDME910PZT: $0,33
Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage ab sofort erhältlich.
Lieferzeit: 8-12 Wochen
Kontakt:
Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/.
Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.
Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen. Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter: www.fairchildsemi.com.
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Fairchild Semiconductor
Birgit Fuchs-Laine
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82256 Fürstenfeldbruck
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Prinzregentenstr. 79
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089-417761-13
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